长鑫一周连下两城：全球首发 LPDDR6，HBM3E 也开始试产 美国科技媒体 The Information 在 8 月 31 日援引两名知情人士的消息报道，国内最大的存储芯片厂商长鑫存储（CXMT）已经开始小批量生产 HBM3E 高带宽内存，阿里旗下的平头哥半导体和寒武纪正在测试这批产品，进展

💡 你将学到

长鑫一周连下两城：全球首发 LPDDR6，HBM3E 也开始试产 美国科技媒体 The Information 在 8 月 31 日援引两名知情人士的消息报道，国内最大的存储芯片厂商长鑫存储（CXMT）已经开始小批量生产 HBM3E 高带宽内存，阿里旗下的平头哥半导体和寒武纪正在测试这批产品，进展

📜 目录

• AI 芯片的显存瓶颈
• 一颗 HBM 吃掉三倍产能
• 长鑫这次到哪一步了
• 同一周还拿下了 LPDDR6
• 国产 AI 芯片，终于有自己的显存了

长鑫一周连下两城：全球首发 LPDDR6，HBM3E 也开始试产

美国科技媒体 The Information 在 8 月 31 日援引两名知情人士的消息报道，国内最大的存储芯片厂商长鑫存储（CXMT）已经开始小批量生产 HBM3E 高带宽内存，阿里旗下的平头哥半导体和寒武纪正在测试这批产品，进展顺利的话，2027 年开始用进国产 AI 芯片。

HBM 这颗内存，是 AI 芯片旁边最紧俏的零件。

AI 芯片的显存瓶颈

HBM 的全称是高带宽内存，做法是把十几层内存芯片用硅通孔技术叠在一起，紧贴 GPU 封装，靠超宽接口给算力核心喂数据。英伟达的 H200、B300 用的就是 HBM3E 这一代。大模型训练时算力再强，数据喂不上去也是空转，HBM 因此成了 AI 算力的硬件瓶颈。

这个市场长期被三家垄断：SK 海力士、三星、美光。其中 SK 海力士 2024 年就量产了 HBM3E，独供英伟达 H200，现在三家都已经进入 HBM4 阶段，并开始送样下一代 HBM4E。

一颗 HBM 吃掉三倍产能

HBM 贵且紧俏，根子在产能。堆叠工艺让一片 HBM 晶圆消耗的产能约等于三片普通 DDR5，良率要求还更高。TrendForce 估计，今年三大厂投给 HBM 的晶圆已经占到自家 DRAM 总产能的约 22%，2027 年还要升到 30%。英伟达、AMD 的 GPU 和各家自研 AI 芯片，把三大厂的 HBM 产线全包圆了。

产能被 AI 抢走，后果直接传导到消费市场：DDR5 内存、手机 LPDDR5X、显卡显存这两年一路涨价，普通装机的内存条比两年前贵了一大截，背后就是 HBM 在抢晶圆。长鑫的 HBM3E 一旦走通量产，国产 AI 芯片就有了自己的显存供应，不用再跟全球买家抢三大厂的货。

长鑫这次到哪一步了

按 JEDEC 国际标准推断，HBM3E 采用 1024 位接口，单引脚速率 9.2 到 12.4Gbps，总带宽约 1.2TB/s，单堆栈容量 24GB（8 层堆叠）或 36GB（12 层堆叠）。长鑫没有官方披露具体参数。

这一步叫风险试产，离规模量产还有距离，三盆冷水得先泼上：

• SemiAnalysis 今年 6 月估计，长鑫的 HBM 良率约 25%，做四颗才能成一颗；
• 按世代算，HBM3E 比三大厂现役的 HBM4 落后一代，比已送样的 HBM4E 落后两代，The Information 给出的技术时间差是 3 到 5 年；
• 长鑫 7 月 27 日刚在科创板上市，募资约 86 亿美元，但招股书没有把这笔钱专项投向 HBM，产线资金来源还没明说。

同一周还拿下了 LPDDR6

HBM3E 之前几天，长鑫刚宣布 LPDDR6 内存量产，领先三星和 SK 海力士，成为全球第一家量产 LPDDR6 的厂商，首发搭载在小米 18 Fold 折叠屏上。合肥和北京两座 12 英寸厂目前月产约 20 万片晶圆，年底目标 35 万片。

国产 AI 芯片，终于有自己的显存了

美国出口管制一直限制国内采购先进 HBM。寒武纪的思元 590、690 等 AI 芯片性能对标 A100、H100，但显存供应受限，只能用 GDDR6 或 DDR4 替代，带宽和能效差一个档次。国产 HBM3E 走通量产后，国产 AI 加速卡才第一次有了配套的高速显存方案。

长鑫之前做 DDR5 时，从风险试产到大规模出货只用了几周。HBM 的工艺难度远高于普通内存，产业链的普遍判断是：先跨过"能不能做出来"这一关，良率和产量可以后面再追。

HBM 市场格局：

不过 25% 的良率和两代的差距都明明白白摆在那里，从风险试产到规模量产，长鑫还有一段硬仗要打。

国产 HBM 到底几年能追上来？2027 年平头哥和寒武纪的芯片里，真能用上长鑫的显存吗？评论区说说你的判断。